模电:第一章-半导体器件

xeonds

2022.12.21 10:25:21

1.1 半导体基础

1.2 PN结

PN结形成过程

在一块本征半导体两侧进行N型掺杂和P型掺杂,此时在结合面上会发生扩散运动。N电子扩散到P空穴,两区域会中和,从而在结合面上会形成裸露粒子。P区呈负电性,N区呈正电性。这会形成内电场,由N区指向P区。这电场会阻碍多子的扩散作用。

在内电场作用下,少子会漂移,方向盘和扩散方向相反,从而会和多子达到动态平衡。平衡后的空间电场区域就称为PN结。这也称为耗尽层(缺少多子),也等效于电阻。

两边掺杂程度不同,会使得PN结不对称。重掺杂一侧会因为密度大相对薄。用P+N/PN+表示。

PN结单向导电性

正偏(P流向N)导通,反偏(N流向P)截止。

P区电位高于N区电位称为正偏(forward bias),反之称为反偏。

这回路必须加上限流电阻,否则无压降时电流会很大,二极管会被烧毁。

导通性主要和内电场有关。漂移电流大则电流小,扩散电流大则电流大。温度升高漂移电流也会增大。10℃大概对应漂移电流变化一倍。反向电流由于基本不变,所以称为反向饱和电流。

伏安特性

伏安特性数学关系为:\(I_D=I_S(e^{\frac{u}{U_t}}-1)\),其中只有\(U\)\(I\)是变量,\(I_S\)是反偏电流,\(U_T\)是温度当量,默认为\(26mV\)

\(U_T=\frac{kT}{q}\),其中的\(k\)是玻尔兹曼常数。

\(T=300\)时,电压为\(26mV\)

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击穿特性

击穿方式有两种,血崩击穿和齐纳击穿。

  1. 雪崩击穿

PN结较厚,电压较高时,一个载流子打在PN结上,会撞出来一些自由电子。这些自由电子会像链式反应一样撞出来更多的自由电子。

  1. 齐纳击穿

PN结较薄,电压较低时,内部扩散载流子形成的内电场可能会直接把束缚电子拉出来,形成击穿。

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PN结的电容效应

总而言之,PN结可以等效为电容和电阻并联。

电容效应 电压变化引起电荷变化。势垒电容,扩散电容构成了PN结的电容效应。

势垒电容 由阻挡层内电荷引起。外加电压会改变阻挡层厚度。这会使得阻挡层内电荷量改变。

扩散电容 多子扩散后,在另一侧积累形成电容效应。正向电压会改变电荷量从而使得电容改变。

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1.3 半导体二极管

是将半导体制作成二极管(diode)得到的电子元件,性质也是单向导通。两端分别为P端(阳极),N端(阴极)。

分类可以按照材料:

也可以按照结构分类:

二极管的参数

二极管有这么几个特殊点。考虑U-I图(横轴U纵轴I),有

部分重要参数如下:

- 硅二极管 锗二极管
\(U_{th}\) 0.5V 0.1V
\(U_{on}\) 0.7V 0.3V
反向饱和电流 \(nA\) \(\mu A\)

温度特性 温度升高1℃,正向压降减小2-2.5mV;升高10℃,反向电流约增大1倍。

为了简化分析,可以在某种范围用线性函数近似二极管的指数分布。

利用二极管反向电流变化小的性质,可以用它制作稳压电路。

限幅电路

限幅电路是一种常用的保护电路,可以限制输入信号的幅值,使其不超过一定范围。常用的限幅电路有正向限幅电路和反向限幅电路。

限幅的实现,是源于二极管的伏安特性曲线。它导通时,两端电压近似等于二极管的导通电压。这使得二极管有了一种“钳制”的效果:当二极管在一个支路上,如果遇到一个支路的端电压超过导通电压,则二极管会导通,使得两端的电压无限接近于二极管的导通电压。

下面是另一个题型,看谁先导通(共极)。这种方法看谁的阴极电压更低,就能得出了。

另外还可以假设法解题。因为钳制效应的作用,所以只有一个管子会导通。因此,假设一个管导通,如果一个管导通,其他管不导通,则假设正确。

正向限幅电路

正向限幅电路可以将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。

当输入信号为正半周时,二极管正向导通,输出信号等于输入信号;当输入信号为负半周时,二极管反向截止,输出信号为0V。因此,正向限幅电路可以将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。

上面就是一个反向截止电路。

反向限幅电路

反向限幅电路可以将输入信号的正半周全部截去,只保留负半周。

当输入信号为负半周时,二极管反向导通,输出信号等于输入信号;当输入信号为正半周时,二极管正向截止,输出信号为0V。因此,反向限幅电路可以将输入信号的正半周全部截去,只保留负半周。

限幅电路的应用非常广泛,例如在音频放大器中,可以用限幅电路来保护扬声器,防止过载损坏;在通信电路中,可以用限幅电路来保护接收机,防止过大的信号干扰接收机正常工作。

二极管门电路

二极管门电路是一种常用的电路,可以将输入信号的幅值限制在一定范围内。二极管门电路的基本原理是利用二极管的导通特性,将输入信号限制在二极管正向导通电压范围内。当输入信号超过二极管正向导通电压时,二极管开始导通,输出信号等于输入信号减去二极管正向导通电压;当输入信号小于二极管正向导通电压时,二极管反向截止,输出信号为0V。

常见的二极管门电路有正向门电路和反向门电路。

正向门电路

正向门电路可以将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。当输入信号为正半周时,二极管正向导通,输出信号等于输入信号减去二极管正向导通电压;当输入信号为负半周时,二极管反向截止,输出信号为0V。因此,正向门电路可以将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。

反向门电路

反向门电路可以将输入信号的正半周全部截去,只保留负半周。当输入信号为负半周时,二极管反向导通,输出信号等于输入信号减去二极管正向导通电压的相反数;当输入信号为正半周时,二极管正向截止,输出信号为0V。因此,反向门电路可以将输入信号的正半周全部截去,只保留负半周。

整流电路

整流电路是将交流电信号转换为直流电信号的电路。在整流电路中,二极管起到了关键作用。常见的整流电路有半波整流电路和全波整流电路。

半波整流电路

半波整流电路是将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。输入信号为正半周时,二极管正向导通,输出信号等于输入信号;当输入信号为负半周时,二极管反向截止,输出信号为0V。因此,半波整流电路可以将输入信号的负半周全部截去,只保留正半周。

全波整流电路

全波整流电路是将输入信号的负半周翻转成正半周,再与正半周相加得到完整的正半周信号。当输入信号为正半周时,D1正向导通,输出信号等于输入信号;当输入信号为负半周时,D2正向导通,输出信号等于输入信号的相反数。因此,全波整流电路可以将输入信号的负半周翻转成正半周,再与正半周相加得到完整的正半周信号。

滤波电路

在整流电路中,由于二极管的导通特性,输出信号仍然存在直流偏置。为了去除这种直流偏置,需要加入滤波电路。常见的滤波电路有电容滤波电路和电感滤波电路。

二极管电路分析

对于二极管电路的分析,需要掌握二极管的伏安特性、电容效应、温度特性等基本特性,以及二极管的参数和模型。常用的二极管模型有理想模型、恒压降模型和折线模型。在实际电路中,可以根据需要选择不同的模型进行分析。